VGF法GaAs单晶位错分布的数值模拟和Raman光谱研究

• 作者: 丁国强 屠海令 张峰燚 涂凡 王思爱 苏小平
• 来源期刊: 稀有金属
• 学科: 工学
• 关键词: 数值模拟 GaAs 位错密度 残余应力 Raman光谱法 位错胞状结构
• 年，卷（期）: 2010,（2）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 237-242
• 页数: 6页
• 分类号: TN304.2
• 字数: 2467字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0258-7076.2010.02.014

摘要

采用数值模拟技术和Rnman光谱法对4 inch垂直梯度凝固(VGF)法GaAs单晶位错进行了研究.运用数值模拟软件计算了GaAs晶体生长过程中的位错分布,模拟计算与实验结果一致.通过Raman光谱测量,定量计算了晶片表面的残余应力分布.Raman测量结果表明,残余应力与位错密度分布基本一致.在VGF法生长的GaAs单晶中观察到了不完整的位错胞状结构,并利用Raman光谱法对其进行了微区分析.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	屠海令		42	224	8.0	12.0
2	苏小平		15	133	7.0	11.0
3	涂凡		3	21	3.0	3.0
4	张峰燚		3	21	3.0	3.0
5	丁国强		3	21	3.0	3.0
6	王思爱		4	26	4.0	4.0