GaN 基蓝光发光二极管分布布拉格反射器的设计

• 作者: 严高师 侯仕东
• 来源期刊: 量子电子学报
• 学科: 工学
• 关键词: 光电子学 GaN 传输矩阵法 分布布拉格反射器 入射角
• 年，卷（期）: 2010,（2）
• 所属期刊栏目: 激光技术与器件
• 页码范围: 145-150
• 页数: 6页
• 分类号: TN312.8
• 字数: 2859字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-5461.2010.02.004

摘要

采用传输矩阵法对GaN基蓝光发光二极管分布布拉格反射器(DBR)反射光谱进行研究.计算发现正入射时S偏振(TE模)与P偏振(TM模)反射带是一致的; S偏振和P偏振反射带随着入射角的增大都向高频(短波)方向移动,且两者之间的差别也随之增大,DBR反射带蓝移快慢与入射介质相关;低折射率入射介质时DBR具有更宽角度响应.通过修改结构参数多次计算表明;入射角修正的方法能较快地找到提高全方向反射的结构.复合DBR以降低反射率或者成倍增加膜层厚度为代价实现大角度范围的反射,复合DBR比传统DBR有更好的光谱特性,这对提高发光二极管的出光效率有现实意义.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	严高师	电子科技大学光电信息学院	33	249	9.0	14.0
2	侯仕东	电子科技大学光电信息学院	1	3	1.0	1.0