PLZT压电陶瓷准同晶相界处显微组织与性能的研究

• 作者: 姚萍屏 罗丰华 魏伟
• 来源期刊: 粉末冶金技术
• 学科: 工学
• 关键词: PLZT 压电陶瓷 准同晶型相界 显微组织 性能
• 年，卷（期）: 2010,（3）
• 页码范围: 163-166,171
• 分类号: TF12
• 字数: 3265字
• 语种: 中文

摘要

采用粉末冶金法制备了压电陶瓷材料Pb0 92La0.08(ZrxTi1-x)O3(简称PLZT),研究了Zr与Ti的原子比对材料物相组成、显微结构以及介电、压电性能的影响.XRD和SEM分析结果表明,当0.64≤x≤0.66时,材料近于准同晶相界;x=0.65时,所得密度最高,达到7.62g/cm3,相对密度为96.33%,介电、压电常数和机电耦合系数最大,分别为εr=1182,d33=136.8pc/N,Kp=0.284,具有优良的综合电学性能.其原因主要是该陶瓷在电场作用下易发生准同晶相变.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	姚萍屏	中南大学粉末冶金国家重点实验室	56	722	16.0	24.0
2	魏伟	中南大学粉末冶金国家重点实验室	39	382	8.0	18.0
3	罗丰华	中南大学粉末冶金国家重点实验室	48	221	9.0	12.0