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摘要:
运用CASTEP软件计算了完整的BaMgF4晶体的电子结构、介电函数和吸收光谱.采用剪刀算子进行修正,根据实验结果和计算结果比对,确定剪刀算子值为4.77 eV.计算结果显示完整的BaMgF4晶体在14.203~14.475 eV和21.480~21.767 eV两个区间有很明显的吸收峰,吸收边为10.337 eV,对应BaMgF4晶体的本征吸收边125 nm,计算结果与实验结果基本一致.
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文献信息
篇名 BaMgF4晶体电子结构及光学性质的第一性原理研究
来源期刊 人工晶体学报 学科 物理学
关键词 电子结构 介电函数 吸收光谱 BaMgF4晶体
年,卷(期) 2010,(6) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 1470-1474
页数 分类号 O734
字数 2660字 语种 中文
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 刘廷禹 上海理工大学理学院 55 124 5.0 7.0
2 张启仁 上海理工大学理学院 32 62 4.0 6.0
3 徐灵芝 上海理工大学理学院 3 2 1.0 1.0
4 康玲玲 上海理工大学理学院 3 2 1.0 1.0
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研究主题发展历程
节点文献
电子结构
介电函数
吸收光谱
BaMgF4晶体
研究起点
研究来源
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引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
人工晶体学报
月刊
1000-985X
11-2637/O7
16开
北京朝阳区红松园1号中材人工晶体研究院,北京733信箱
1972
chi
出版文献量(篇)
7423
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16
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38029
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