国外电阻阵列非均匀性校正技术概述

• 作者: 吴永刚 孟庆虎 李艳
• 来源期刊: 红外技术
• 学科: 工学
• 关键词: 电阻阵列 非均匀性校正 动态红外场景投射 稀疏网格
• 年，卷（期）: 2010,（8）
• 页码范围: 453-456
• 分类号: TN216
• 字数: 3317字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-8891.2010.08.005

摘要

MOS电阻阵列(以下简称电阻阵列)作为当前红外成像制导武器和前视红外系统等探测器的测试、性能评估以及系统动态仿真验证,其致命的弱点就是其固有的辐射非均匀性.根据收集到的国外电阻阵列非均匀性的相关文献,介绍了现有电阻阵列非均匀性校正的方法及其优缺点,目前国内在这一领域尚开始起步,对一些非均匀性校正技术的关键点和难点还掌握得不够,因此这些校正技术对我们以后的研究提供了一个参考.