四元混晶InGaAsP应变量子阱在压力调制下的能带转型

• 作者: 张院生 郭子政
• 来源期刊: 内蒙古师范大学学报（自然科学汉文版）
• 学科: 物理学
• 关键词: 四元混晶 量子阱 静压力 能带转型 应变
• 年，卷（期）: 2010,（2）
• 所属期刊栏目: 物理学
• 页码范围: 134-138,142
• 分类号: O417.1
• 字数: 4012字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-8735.2010.02.006

摘要

采用模型固体理论计算了四元混晶In1-xGaxAsyP1-y/In0.85Ga0.15As0.7P0.3/In1-xGaxAsyP1-y单量子阱系统中电子和空穴的能带结构,研究了流体静压力对能带的调制作用.结果表明: 通过引入流体静压力,可以方便地实现单量子阱的能带转型(类型Ⅰ到类型Ⅱ的转变);当x=0.2,y=0.7时,电子、重空穴、轻空穴能带转型时的临界压力分别约为0.5,8,1.5 GPa;0.5 GPa≤P＜8 GPa时,量子阱的能带均为类型Ⅱ.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郭子政	内蒙古师范大学物理与电子信息学院	40	143	6.0	10.0
2	张院生	集宁师范学院物理系	6	13	3.0	3.0