GaAs在外电场作用下的分子特性研究

• 作者: 令狐荣锋 吕兵 宋晓书 徐梅 王晓璐
• 来源期刊: 四川师范大学学报（自然科学版）
• 学科: 物理学
• 关键词: GaAs分子 外电场 结构特性
• 年，卷（期）: 2010,（3）
• 页码范围: 343-347
• 分类号: O561.1
• 字数: 2959字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-8395.2010.03.015

摘要

用密度泛函B3LYP方法在6-311++g(3df,3pd)基组水平下对GaAs在不同强度外电场(-0.003～0.003 a.u.)下分子基态的稳定电子结构进行计算,研究了外电场对GaAs分子基态总能量、键长、偶极矩、能级分布、能隙、电荷分布、红外光谱及势能曲线的影响.结果表明,随着Ga→As方向外电场的增加,分子键长、偶极矩增大,原子电荷也递增,能隙、谐振频率及其红外强度递减,总能量降低;在外电场作用下,GaAs基态分子势能曲线也发生变化,离解能随之变化.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	宋晓书	贵州师范大学物理与电子科学学院	73	188	6.0	7.0
3	令狐荣锋	贵州师范大学物理与电子科学学院	120	268	7.0	8.0
5	王晓璐	贵州师范大学物理与电子科学学院	21	32	3.0	4.0
8	吕兵	贵州师范大学物理与电子科学学院	50	88	5.0	5.0
10	徐梅	贵州师范大学物理与电子科学学院	49	99	5.0	6.0