石墨烯基电子学研究进展

• 作者: 袁明文
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 石墨烯 石墨烯纳米带(GNR) 场效应管(FET) 单电子晶体管(SET) 纳米电子机械系统(NEMS)
• 年，卷（期）: 2010,（10）
• 页码范围: 589-594
• 分类号: TN304.18|O469
• 字数: 5068字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-4776.2010.10.001

摘要

综述了石墨烯晶体的能带结构和独特的电子性质,如双极性电场效应、单双层石墨烯效应、衬底效应、石墨烯纳米带(GNR)带隙等特殊效应的研究现状.介绍了石墨剥落技术、外延生长和化学气相淀积(CVD)等石墨烯材料的制备以及表征方法.列举了石墨烯在电子、显示、太阳电池、传感器和氢存储等方面的应用,如在石墨烯场效应管、石墨烯纳米带场效应管(SET)、石墨烯单电子晶体管、石墨烯金属晶体管、石墨烯基纳米电子机械系统(NEMS)、石墨烯分子开关以及石墨烯基高电子迁移率晶体管(HEMT)制备方面的应用.人们已经研究出不同栅长的n/p型顶栅石墨烯场效应管(GFET),并采用标准的S参数直接表征器件的高频性能.理论和实验表明,所有石墨烯纳米带场效应管(GNRFET)在室温下工作的前提是GNR的带宽尺寸小于10 nm,并具有半导体场效应管的性能.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	袁明文	中国电子科技集团公司第十三研究所	8	78	5.0	8.0