用于中子屏蔽的碳化硼/超高分子量聚乙烯复合材料研究

• 作者: 昝青峰 王晨 王立强 田杰谟 董利民 郭鹏
• 来源期刊: 材料工程
• 关键词: 碳化硼 UHMWPE 中子屏蔽 偶联剂
• 年，卷（期）: 2010,（z2）
• 页码范围: 337-340
• 分类号: TB34
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-4381.2010.z2.093

摘要

采用热压成型工艺,制备用于中子屏蔽的碳化硼/超高分子量聚乙烯(UHMWPE)复合材料,研究了热压温度、硅烷偶联剂添加量、碳化硼含量对材料的冲击强度、弯曲强度等性能的影响,通过FTIR,SEM及能谱分析偶联剂添加效果.同时研究了碳化硼含量对材料中子屏蔽效率的影响.结果表明,当成型温度小于200℃时,温度的提高对材料力学性能有提高作用；KH570硅烷偶联剂对碳化硼有较好的偶联作用,适当添加KH570增强了碳化硼与UHMWPE之间的结合力,当添加量超过3％(质量分数,下同)后,偶联剂在碳化硼表面形成多余吸附层,减弱了基体与颗粒之间的结合力,降低了冲击强度；碳化硼含量提高,颗粒的团聚增加,大颗粒在基体中形成缺陷,导致材料脆性增加,降低了材料冲击强度；中子衰减系数随碳化硼含量增加而提高,随样品厚度的增加而减小；样品厚度较薄时,材料主要吸收热中子,当样品厚度增加时,快中子在材料内部发生多次碰撞,能量降低后也被吸收掉.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	董利民	清华大学核能与新能源技术研究院新型陶瓷与精细工艺国家重点实验室	35	145	6.0	10.0
2	昝青峰	清华大学核能与新能源技术研究院新型陶瓷与精细工艺国家重点实验室	21	133	7.0	10.0
3	王晨	清华大学核能与新能源技术研究院新型陶瓷与精细工艺国家重点实验室	48	464	12.0	20.0
4	王立强	清华大学核能与新能源技术研究院新型陶瓷与精细工艺国家重点实验室	33	141	6.0	10.0
5	郭鹏	清华大学核能与新能源技术研究院新型陶瓷与精细工艺国家重点实验室	9	35	4.0	5.0