高能粒子辐照对太阳能电池材料InGaN合金生长的影响

• 作者: 董少光
• 来源期刊: 材料导报：纳米与新材料专辑
• 学科: 工学
• 关键词: InGaN合金 抗辐照性能 太阳能电池材料 MOCVD
• 年，卷（期）: 2010,（1）
• 页码范围: 259-262
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.23

摘要

采用金属有机化学汽相沉积（MOCVD）的方法生长出高质量的InGaN合金薄膜，并对InGaN合金薄膜的光电性能进行高能粒子辐照损伤测试，用室温下的光致发光对InGaN合金薄膜的少数载流子寿命进行间接测量，结果显示，高In组分InGaN合金薄膜具有很好的晶体结构质量，其位错密度均没有超过5×10^10cm。在辐照损伤强度超过常用太阳能电池材料GaAs和GaInP损伤强度极限2个数量级以上时，InGaN合金仍然具有良好的光电性能，说明InGaN合金是非常适合制作抗超高辐照强度的太阳能电池材料。研究分析表明，InGaN合金具有较高的抗辐照性能是由这种材料的本质属性决定的。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	董少光	佛山科学技术学院光电子与物理学系	24	34	3.0	5.0