酸腐蚀液对多晶硅表面织构的影响

• 作者: 廖华 李承晴 李雷 邵俊刚 陈义 黄小龙
• 来源期刊: 太阳能学报
• 学科: 工学
• 关键词: 酸腐蚀 多晶硅 表面形貌 反射率
• 年，卷（期）: 2010,（12）
• 页码范围: 1563-1567
• 分类号: TM914.4
• 字数: 3482字
• 语种: 中文

摘要

通过在富HF的HF-HNO3溶液体系中加入新的添加剂NH3·H2O,对多晶硅片进行了腐蚀试验研究.在溶液配比为HF:HNO3:NH3·H2O:H2O=12:1:1:4(体积比),腐蚀时间为10min时得到的效果最好,多晶硅的织构表面沟槽的密度更高、分布更均匀;在波长300～1000nm的范围内平均反射率为5.13%.能够获得低反射率的多晶硅织构表面的主要原因为:加入的NH3·H2O以及系统中反应生成的NH4NO3分解时产生的N2O气体和NO2-起到关键作用.