低温CVD法在玻璃衬底上制备ZnO纳米线阵列

• 作者: 夏文高 邓宏 陈金菊
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 化学气相沉积 ZnO纳米线阵列 低温生长
• 年，卷（期）: 2010,（2）
• 页码范围: 258-260
• 分类号: O484.1
• 字数: 1566字
• 语种: 中文

摘要

采用化学气相沉积(CVD)法在镀Cr(20 nm)的玻璃衬底上,低温制备了ZnO纳米线阵列.利用扫描电子显微镜(SEM)和X射线衍射(XRD)对样品的表面形貌和微结构进行了分析表征.结果表明:源分解温度1 350 ℃,衬底温度450～500 ℃,氩气流量为35 sccm时,ZnO纳米线在玻璃衬底上呈现有序生长;XRD谱图中只观测到ZnO(002)衍射峰.表明制备的纳米线阵列具有高度c轴择优取向生长特性和较高的结晶质量.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈金菊	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	36	309	11.0	16.0
2	邓宏	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	72	653	14.0	22.0
3	夏文高	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	1	9	1.0	1.0