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摘要:
采用溶胶-凝胶工艺,用提拉法在玻璃基底上制备了ITO透明导电薄膜.使用四探针测试仪和紫外可见光分光光度计测量薄膜的方阻和透过率,并采用XRD、SEM等测试手段对薄膜的晶体结构、表面形貌进行了表征.结果表明,掺锡比例和热处理温度对薄膜的导电性具有重要影响,在掺Sn量为15 %(原子分数比)、450 ℃热处理时薄膜的方阻最小;薄膜的透过率曲线随掺锡比例的增加向紫外方向移动.随着热处理时间、镀膜层数的增加,薄膜的方阻先减小,最后趋于一稳定值,在可见光范围内薄膜的透过率变化较小.
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内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 溶胶-凝胶法制备ITO薄膜及其光电性能的研究
来源期刊 电子器件 学科 工学
关键词 ITO 溶胶-凝胶 方阻 透过率
年,卷(期) 2010,(1) 所属期刊栏目 薄膜与光电
研究方向 页码范围 5-9
页数 5页 分类号 TN304.055
字数 4515字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1005-9490.2010.01.002
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 林祖伦 电子科技大学光电信息学院 76 442 10.0 15.0
2 陈文彬 电子科技大学光电信息学院 45 202 8.0 11.0
3 袁红梅 电子科技大学光电信息学院 9 45 5.0 6.0
4 韦新颖 电子科技大学光电信息学院 4 31 4.0 4.0
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电子器件
双月刊
1005-9490
32-1416/TN
大16开
南京市四牌楼2号
1978
chi
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