硒化温度对铜铟镓硒太阳能电池吸收层性能的影响

• 作者: 刘江 宋军 庄大明 张弓 李春雷 栾和新
• 来源期刊: 材料研究学报
• 学科: 工学
• 关键词: 无机非金属材料 太阳能电池 铜铟镓硒 预制膜硒化 硒化温度 ODC相 Cu-Se相
• 年，卷（期）: 2010,（4）
• 页码范围: 358-362
• 页数: 5页
• 分类号: TM615
• 语种: 中文

摘要

用预制膜硒化法制备铜铟硒系太阳能电池的吸收层CIGSe薄膜,用X射线荧光分析(XRF)、扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射分析(XRD)和拉曼谱分析(Raman)以及基于霍尔效应分别测定或观测CIGSe薄膜的成分、表面形貌、结构以及电阻率和少数载流子迁移率,研究了在近玻璃软化点520-560℃区间硒化温度对薄膜成分、表面形貌、结构和电学性能的影响.结果表明:当硒化温度在520-560℃时,CIGSe薄膜的成分和表面形貌保持不变,但是随着硒化温度的升高CIGSe薄膜中有序缺陷相(ODC)和Cu-Se短路相增加,提高了薄膜内的缺陷浓度,使薄膜的少数载流子迁移率降低、电阻率增大.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张弓		81	914	16.0	27.0
2	庄大明		104	1374	22.0	32.0
3	栾和新		8	14	1.0	3.0
4	刘江		13	91	5.0	9.0
5	李春雷		12	60	5.0	7.0
6	宋军		10	29	3.0	5.0