国产GaAs/Ge太阳电池在轨行为评价

• 作者: 何松 吴宜勇 杨德庄 胡建民 钱勇 陈鸣波
• 来源期刊: 太阳能学报
• 学科: 工学
• 关键词: GaAs/Ge太阳电池 辐射效应 相对损伤系数 在轨行为
• 年，卷（期）: 2010,（12）
• 页码范围: 1568-1573
• 分类号: TK514
• 字数: 3861字
• 语种: 中文

摘要

研究了电子和质子辐照下国产GaAs/Ge太阳电池电学性能退化规律.结果表明:小于200keV质子辐照下国内外GaAs/Ge电池等效损伤系数明显不同,原因是国内外太阳电池结构参数的不同引起的.高能质子和电子辐照下,国内外电池等效损伤系数结果相近,和电池结构关系不大,这是由于高能质子和能够造成电池位移损伤的电子更容易穿透电池,在电池中产生均匀损伤.通过计算透过防护盖片后的带电粒子能谱对肌(Jet Propulsion Laboratory)的等效注量法进行了改进,在地球同步轨道环境下评价了国产GaAs/Ge太阳电池的在轨行为.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	胡建民	哈尔滨工业大学材料科学与工程学院	37	135	7.0	10.0
3	杨德庄	哈尔滨工业大学材料科学与工程学院	96	1343	20.0	30.0
4	陈鸣波		23	344	9.0	18.0
5	何松	哈尔滨工业大学材料科学与工程学院	4	17	3.0	4.0
6	吴宜勇	哈尔滨工业大学材料科学与工程学院	14	126	7.0	11.0
9	钱勇		3	40	3.0	3.0