梭式氮化窑用Si3N4-SiC匣钵砖用后分析

• 作者: 张建芳 朱晓燕 李勇 王佳平 薄钧
• 来源期刊: 耐火材料
• 学科: 工学
• 关键词: 氮化 梭式窑 匣钵砖 反应烧结 Si3N4-SiC 材料
• 年，卷（期）: 2010,（4）
• 页码范围: 256-259
• 分类号: TQ17
• 字数: 1713字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-1935.2010.04.004

摘要

利用XRD、SEM和EDAX对在梭式氮化窑中使用1年后的反应烧结Si3N4-SiC匣钵砖内外侧进行了分析.结果表明:在匣钵外侧(氧化气氛),匣钵砖表面12 mm厚的区域呈完全氧化状态,主要氧化产物是SiO2;紧随其后的12～20 mm区域呈部分氧化状态,氧化产物主要为Si2N2O及少量SiO2;20 mm以后区域无明显氧化特征.在匣钵内侧(氮气气氛),匣钵砖表面出现了约0.2 mm厚的氧化层,主要氧化产物是SiO2,该SiO2可能是由气态SiO氧化形成的,而气态SiO主要来自SiC的氧化及氮化过程中形成的气态SiO;从显微结构可以看出,SiC颗粒表面氧化明显.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李勇	北京科技大学材料科学与工程学院	91	438	11.0	15.0
2	张建芳		7	19	3.0	4.0
3	薄钧		6	30	4.0	5.0
4	朱晓燕	北京科技大学材料科学与工程学院	3	28	2.0	3.0
5	王佳平	北京科技大学材料科学与工程学院	3	28	2.0	3.0