垂测电离图F1层反演方法研究

• 作者: 凡俊梅 李书苓 柳文 焦培南 王世凯 郭延波
• 来源期刊: 电波科学学报
• 学科: 工学
• 关键词: 反演 F1层 扰动电离图 Es遮蔽 QPS
• 年，卷（期）: 2010,（1）
• 页码范围: 172-177
• 分类号: TN011
• 字数: 3790字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-0388.2010.01.032

摘要

提出了基于准抛物段模型(QPS模型)的F1层不完全发育电离层模型.直接利用QPS模型来表征电离层电子浓度剖面,通过调整模型参数,使实测虚高与计算虚高均方根误差最小时对应的那组参数即为反演的电离层特征参数,该方法在一定程度上克服了判读误差,在虚高最小均方根误差的意义上是最优的.对各层完全发育、F1层不完全发育、F1层被Es层遮蔽等情况,均能有效地反演电离层电子浓度剖面.