原文服务方: 微电子学与计算机       
摘要:
闪速存储器是固态硬盘的主要存储介质,但是其较低的写入速度无法满足系统对数据的高速传输要求,从而影响到固态硬盘的整体性能.为提高闪存阵列的写入带宽,在分析Flash器件的工作原理、流水线技术及并行总线技术的基础上,提出了一种可行的并行结构,估算并验证了采用此方案后的带宽提高情况.
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文献信息
篇名 基于固态硬盘的闪存阵列并行结构设计
来源期刊 微电子学与计算机 学科
关键词 固态硬盘 闪速存储器 写入带宽 流水线技术 并行结构
年,卷(期) 2010,(4) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 85-88,94
页数 分类号 TP302.1
字数 语种 中文
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 李健 天津大学精密仪器与光电子工程学院 179 1782 21.0 32.0
2 李佳琦 天津大学精密仪器与光电子工程学院 1 16 1.0 1.0
3 党相甫 1 16 1.0 1.0
4 冯伟 2 16 1.0 2.0
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研究主题发展历程
节点文献
固态硬盘
闪速存储器
写入带宽
流水线技术
并行结构
研究起点
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研究分支
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微电子学与计算机
月刊
1000-7180
61-1123/TN
大16开
1972-01-01
chi
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9826
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