基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取       
摘要:
采用三维数值模拟的方法对比研究了单个NMOS晶体管和反相器链中的单粒子瞬变(single event transient,SET)电流脉冲,发现深亚微米工艺下双极放大电流在单管的SET电流脉冲中占主要成分,而在反相器链的SET模拟中不明显,分析二者的区别解释了源/体结偏压的形成过程和放大机理,并证明了双极放大效应受源/体结偏压影响的结论.在此基础上分析了NMOS管中源极的正向电流及其机理,发现台阶区的源极正向电流主要是由扩散作用形成的.
推荐文章
基于PDSOI的锁相环电路单粒子瞬变敏感性研究
单粒子瞬变
锁相环
辐射效应
相位抖动
PNP输入双极运算放大器的辐射效应
PNP输入双极运算放大器
低剂量率
偏置
60Co γ辐照
双极型运算放大器瞬时电离辐射效应实验研究
双极型运算放大器
压摆率
瞬时电离辐射效应
强光一号
变温辐照对双极电压比较器LM2903在不同偏置状态下的单粒子瞬态影响
变温辐照方法
双极电压比较器
电离总剂量
单粒子瞬态
偏置状态
协同效应
内容分析
关键词云
关键词热度
相关文献总数  
(/次)
(/年)
文献信息
篇名 单粒子瞬变中的双极放大效应研究
来源期刊 物理学报 学科 物理学
关键词 单粒子瞬变 双极放大 混合模拟 台阶区电流
年,卷(期) 2010,(1) 所属期刊栏目 物理学交叉学科及有关科学技术领域
研究方向 页码范围 649-654
页数 6页 分类号 O4
字数 语种 中文
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 陈书明 国防科技大学计算机学院微电子与微处理器研究所 65 467 11.0 18.0
2 刘必慰 国防科技大学计算机学院微电子与微处理器研究所 17 101 6.0 9.0
3 梁斌 国防科技大学计算机学院微电子与微处理器研究所 17 102 6.0 9.0
4 刘征 国防科技大学计算机学院微电子与微处理器研究所 6 66 4.0 6.0
5 赵振宇 国防科技大学计算机学院微电子与微处理器研究所 13 43 3.0 6.0
传播情况
(/次)
(/年)
引文网络
引文网络
二级参考文献  (0)
共引文献  (0)
参考文献  (0)
节点文献
引证文献  (20)
同被引文献  (3)
二级引证文献  (14)
2010(0)
  • 参考文献(0)
  • 二级参考文献(0)
  • 引证文献(0)
  • 二级引证文献(0)
2011(1)
  • 引证文献(1)
  • 二级引证文献(0)
2012(1)
  • 引证文献(1)
  • 二级引证文献(0)
2013(3)
  • 引证文献(3)
  • 二级引证文献(0)
2014(6)
  • 引证文献(4)
  • 二级引证文献(2)
2015(4)
  • 引证文献(4)
  • 二级引证文献(0)
2016(6)
  • 引证文献(1)
  • 二级引证文献(5)
2017(5)
  • 引证文献(3)
  • 二级引证文献(2)
2018(2)
  • 引证文献(0)
  • 二级引证文献(2)
2019(4)
  • 引证文献(3)
  • 二级引证文献(1)
2020(2)
  • 引证文献(0)
  • 二级引证文献(2)
研究主题发展历程
节点文献
单粒子瞬变
双极放大
混合模拟
台阶区电流
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
物理学报
半月刊
1000-3290
11-1958/O4
大16开
北京603信箱
2-425
1933
chi
出版文献量(篇)
23474
总下载数(次)
35
总被引数(次)
174683
论文1v1指导