670 nm发光二极管材料的MOCVD外延生长

• 作者: 刘英斌 李云 林琳 袁凤坡 陈宏泰
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: AlGaInP 发光二极管 压应变 多量子阱 光荧光 界面粗糙度
• 年，卷（期）: 2010,（2）
• 所属期刊栏目: 纳米材料与结构
• 页码范围: 85-88
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.2|TN304.054|TN364
• 字数: 1684字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-4776.2010.02.005

摘要

重点介绍了670 nm LED材料的结构与制备方法,用MOCVD方法生长了较高压应变的670 nm多量子阱.分析比较了670 nm量子阱室温光荧光谱线宽度的影响因素,指出室温光荧光主要来源于带-带复合,荧光谱线宽度的减小是应变量子阱轻重空穴能级分离的结果,并不意味着量子阱界面质量的改进.同时介绍了二乙基锌(DEZn)的掺杂技术和掺杂浓度,通过优化掺杂条件和退火条件,P型AlInP材料获得了0.9 X 1018/cm3的空穴密度.外延材料制作成200 μm×200 μm尺寸的LED管芯,在20 mA工作电流下亮度为22～24 mcd.器件结果表明,用5个压应变量子阱的有源区并且采用DEZn掺杂可以制作出高亮度的670 nm LED外延材料.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘英斌	中国电子科技集团总公司第十三研究所	10	54	5.0	7.0
2	林琳	中国电子科技集团总公司第十三研究所	21	58	6.0	7.0
3	陈宏泰	中国电子科技集团总公司第十三研究所	25	102	6.0	8.0
4	李云	中国电子科技集团总公司第十三研究所	11	8	1.0	2.0
5	袁凤坡	中国电子科技集团总公司第十三研究所	7	16	2.0	3.0