一维纳米SiC-CNTs复合结构的生长机制和阴极射线发光

• 作者: 潘跃武 胡湛
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 碳化硅 纳米复合结构 阴极射线发光 碳纳米管
• 年，卷（期）: 2010,（5）
• 页码范围: 743-747
• 分类号: O469
• 字数: 3379字
• 语种: 中文

摘要

采用直接固相反应法制备了一维SiC-CNTs纳米复合结构.初始反应原料为纯的硅粉和碳纳米管混合物,没有使用任何触媒,在1400℃温度下获得了一维纳米产物.采用X射线衍射、扫描电子显微镜、拉曼光谱、阴极射线发光光谱研究了产物的结构和光学性质.获得的一维SiC-CNTs纳米复合结构外径约为60nn,长度超过几个微米.CL谱中存在三个发射带,中心位置分别为2.89,2.39,2.22 eV.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	胡湛	吉林大学原子与分子物理研究所	14	33	3.0	5.0
2	潘跃武	徐州工程学院数学与物理科学学院	3	12	1.0	3.0