聚苯胺中次近邻电子跳跃对光激发孤子性质的影响

• 作者: 张勇 胡琳洁
• 来源期刊: 四川师范大学学报（自然科学版）
• 学科: 化学
• 关键词: PNB聚合物 孤子 次近邻电子跳跃
• 年，卷（期）: 2010,（2）
• 页码范围: 212-215
• 页数: 4页
• 分类号: O631.1
• 字数: 2579字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-8395.2010.02.018

摘要

在Baranowski-Bütter-Voit(BBV)模型的基础上,考虑了次近邻电子跳跃对PNB(pernigraniline-base)聚合物中带负电孤子和正电孤子能级结构、晶格位形及电荷密度分布的影响.结果表明:逐渐增强的次近邻作用可使两类孤子导带宽度变小,价带宽度变大,电子的跃迁能逐渐增大;孤子的宽度基本不变;负电孤子的电荷密度分布振荡加强,正电孤子的则减弱.初步确定孤子晶格中的次近邻电子跳跃强度β≤0.04.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张勇	四川师范大学物理与电子工程学院	15	17	3.0	3.0
2	胡琳洁	四川师范大学物理与电子工程学院	2	1	1.0	1.0