SiGe纳米环的制备与电磁特性研究进展

• 作者: 丁澜 马锡英 黄仕华
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: SiGe纳米环 纳米机电系统 异质薄膜卷膜 纳米螺旋器件 纳米传感器
• 年，卷（期）: 2010,（11）
• 页码范围: 668-673
• 分类号: TB383
• 字数: 2821字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-4776.2010.11.004

摘要

SiGe纳米环、纳米螺绕环具有优异的电学、力学等性质,已成为非常重要的三维半导体纳米材料,在传感器、纳米电子学及纳机电系统中具有广阔的应用前景.简单介绍了制备SiGe纳米环、纳米螺绕环的方法,包括化学气相沉积法、分子束外延法和脉冲激光法,并介绍了SiGe纳米环形成的主要原因和相关的应用.SiGe纳米环是在Si和Ge间的横向应力作用下形成的,这种纳米环的电导对纳米环的曲率和外加磁场非常敏感.在外加磁场恒定的情况下,电导随曲率的增大而逐渐减小;当达到某一临界点后,又随曲率的增大而逐渐增大.可以应用外加电压控制SiGe纳米环的弯曲程度,成为纳米尖、黏性探头、挂钩和原子力显微镜悬臂梁等应用于纳米传感器、纳米探头及纳米机电系统中.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	马锡英	苏州科技学院数理学院	34	79	6.0	7.0
2	黄仕华	浙江师范大学数理信息学院	35	96	5.0	8.0
3	丁澜	浙江师范大学数理信息学院	5	10	2.0	3.0