Mn掺杂GaN纳米条的制备和性质的研究

• 作者: 刘文军 庄惠照 石锋 薛成山 郭永福
• 来源期刊: 山东科学
• 学科: 工学
• 关键词: GaN纳米条 Mn 磁控溅射 纳米结构
• 年，卷（期）: 2010,（1）
• 页码范围: 28-31,63
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.23
• 字数: 2584字
• 语种: 中文

摘要

通过在1000℃下氨化锰掺杂Ga2O3,薄膜制备了大量GaMnN纳米条.采用此法得到的剑状Mn掺杂GaN纳米条是六方纤锌矿结构,Mn的原子百分比是5.43%,纳米条的厚度大约为100nm,宽度为200～400nm.X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)、高分辨透射电子显微镜(HRTEM)、选区电子衍射(SAED)、X射线光电子能谱(XPS)和荧光分光光度计(PL)用于表征所制备纳米条形貌及光学性质.室温下以325 nm波长的光激发样品表面,发现由于Mn的掺杂使GaN的发光峰有较大的红移.最后.简单讨论了GaN纳米条的生长机制.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	石锋	山东师范大学物理与电子科学学院半导体研究所	31	83	5.0	6.0
2	庄惠照	山东师范大学物理与电子科学学院半导体研究所	72	276	9.0	11.0
3	薛成山	山东师范大学物理与电子科学学院半导体研究所	117	476	11.0	13.0
4	郭永福	山东师范大学物理与电子科学学院半导体研究所	8	38	4.0	6.0
5	刘文军	山东师范大学物理与电子科学学院半导体研究所	7	35	4.0	5.0