高效率大功率连续半导体激光器

• 作者: 任永学 张世祖 杨红伟 陈宏泰 黄科
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 大功率连续半导体激光器 电光转换效率 横向限制 微通道热沉 量子阱
• 年，卷（期）: 2010,（2）
• 所属期刊栏目: 纳米器件与技术
• 页码范围: 71-75
• 页数: 5页
• 分类号: TN248.4
• 字数: 2536字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-4776.2010.02.002

摘要

从大功率半导体激光器的工作机理出发,对影响激光器电光转换效率的主要因素,如激光器的斜率效率ηd、阈值电流Ith、开启电压Vo、串联电阻Rs以及工作电流I等进行了分析,进而讨论了提高电光转换效率的主要技术途径.通过对应变量子阱大光腔激光器外延材料开启特性的优化、大功率激光器芯片横向限制工艺的改进以及对大功率微通道热沉制作等技术的研究,制作了808 nm连续半导体激光器阵列.在工作电流140 A时,阵列工作电压为1.83 V,输出功率145 W,电光转换效率达到56.6%.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈宏泰	中国电子科技集团公司第十三研究所	25	102	6.0	8.0
2	张世祖	中国电子科技集团公司第十三研究所	12	54	5.0	7.0
3	黄科	中国电子科技集团公司第十三研究所	6	20	3.0	4.0
4	杨红伟	中国电子科技集团公司第十三研究所	23	87	6.0	7.0
5	任永学	中国电子科技集团公司第十三研究所	11	33	4.0	5.0