IEC-GCT阳极结构参数的优化设计

• 作者: 张如亮 王彩琳 马丽 高勇
• 来源期刊: 西安理工大学学报
• 学科: 工学
• 关键词: 电力半导体器件 门极换流晶闸管 注入效率 阳极短路比
• 年，卷（期）: 2010,（4）
• 页码范围: 388-392
• 分类号: TN342+.4
• 字数: 3213字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1006-4710.2010.04.003

摘要

在分析IEC-GCT器件结构与工作机理的基础上,利用器件分析工具Silvaco模拟了IEC阳极结构的参数变化对IEC-GCT器件通态特性和关断特性的影响.结果表明,阳极区和短路区掺杂浓度及阳极短路比对通态压降和关断时间有较大影响,覆盖在p阳极上的氧化层宽度对通态特性影响较小,并给出了优化设计后的结构参数.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	马丽	西安理工大学理学院	23	62	4.0	6.0
2	高勇	西安理工大学自动化与信息工程学院	189	1184	15.0	26.0
3	王彩琳	西安理工大学自动化与信息工程学院	43	203	8.0	12.0
4	张如亮	西安理工大学自动化与信息工程学院	15	62	5.0	6.0