电压依赖性氯通道在3-吗啉斯德酮亚胺诱导的大鼠海马神经元凋亡中的作用

• 作者: 尹金宝 常全忠 张淑玲
• 来源期刊: 中国药理学与毒理学杂志
• 学科: 医学
• 关键词: 氯通道 神经元 脑缺血 海马 膜片钳技术 全细胞
• 年，卷（期）: 2010,（1）
• 所属期刊栏目: 论著
• 页码范围: 8-12
• 分类号: R966|R338.8
• 字数: 3636字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3867/j.issn.1000-3002.2010.01.002

摘要

目的 探讨氯通道与缺血性脑损伤的关系.方法 离体培养12 d的SD大鼠海马神经元,分为4组:正常对照组、3-吗啉斯德酮亚胺(SIN-1)处理组(SIN-1 1.0 mmol ·L~(-1)作用18 h)、SIN-1+4-4-二异硫氰茋-2,2'-二磺酸组(DIDS,0.1 mmol ·L~(-1)作用18 h)及SIN-1+4-乙酰氨基-4'-异氰酸茋-2,2'-二磺酸组(SITS, 0.5 mmol·L~(-1)作用18 h).DNA荧光染色观察神经元形态及检测凋亡数目的变化;免疫荧光染色观察神经元两种电压门控氯通道(ClC-2/ClC-3)的表达;全细胞膜片钳技术记录神经元氯通道电流.结果 Hoechst 33258染色显示, 正常对照组、SIN-1处理组、SIN-1+SITS组和SIN-1+DIDS组神经元凋亡百分数分别是: (18.61±0.59)%,(50.43±0.56)%,(23.37±0.52)%和(23.37±0.84)%;两种氯通道ClC-2/ClC-3在正常神经元上存在;SIN-1处理后的神经元氯通道电流较正常增加55%～56%;氯通道阻断剂SITS和DIDS分别能抑制氯通道电流的30%～40%和50%～60%.结论 电压依赖性氯通道可能参与了SIN-1诱导的神经元凋亡,氯通道可能参与缺血性脑损伤过程.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	常全忠	遵义医学院珠海校区生理学教研室	10	55	4.0	7.0
2	张淑玲	遵义医学院珠海校区生理学教研室	5	32	3.0	5.0
3	尹金宝	遵义医学院珠海校区生理学教研室	4	36	3.0	4.0