半导体封装行业中铜线键合工艺的应用

• 作者: 毕向东
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: 铜线 引线键合 键合质量 工艺管控
• 年，卷（期）: 2010,（8）
• 页码范围: 1-4,13
• 分类号: TN305.94
• 字数: 1814字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1681-1070.2010.08.001

摘要

文章介绍了半导体封装行业中铜线键合工艺下,各材料及工艺参数(如框架、劈刀、设备参数、芯片铝层与铜材的匹配选择)对键合质量的影响,并总结提出如何更好地使用铜线这一新材料的规范要求.应用表明芯片铝层厚度应选择在0.025mm以上;劈刀应使用表面较粗糙的;铜线在键合工艺中使用体积比为95:5的氢、氮气混合保护气体;引线框架镀银层厚度应控制在0.03 mm～0.06mm.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	毕向东		6	51	4.0	6.0