脉冲宽度对PIN限幅器微波脉冲热效应的影响

• 作者: 杜正伟 陈曦 龚克
• 来源期刊: 强激光与粒子束
• 学科: 工学
• 关键词: 微波脉冲 PIN限幅器 热效应 半导体器件仿真 脉冲宽度
• 年，卷（期）: 2010,（7）
• 所属期刊栏目: 高功率微波
• 页码范围: 1602-1606
• 分类号: TN322.8
• 字数: 2913字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/HPLPB20102207.1602

摘要

通过数值求解半导体方程组仿真了高功率微波脉冲作用下的PIN二极管,研究了高功率微波脉冲的脉冲宽度对其烧毁的影响.发现脉冲宽度在ns至μs量级时,脉冲功率随脉冲宽度上升而下降,并且近似成反比.在此基础上,基于PIN二极管的Leenov模型和电路的戴维南定理对其机理进行了分析.在脉冲宽度由ns向μs量级变化中,器件热效应由绝热加热转为有热传导的加热;与此同时,其实际吸收功率由与入射功率成正比转为与入射功率开方成正比;此二者共同作用导致了脉冲宽度对烧毁影响.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈曦	清华大学微波与数字通信国家重点实验室	81	809	14.0	26.0
2	杜正伟	清华大学微波与数字通信国家重点实验室	20	184	8.0	13.0
3	龚克	清华大学微波与数字通信国家重点实验室	34	292	11.0	16.0