不同温度下制备的CdTe薄膜对太阳电池光电性能的影响

• 作者: 冯良桓 张静全 曾广根 李卫 李愿杰 武莉莉 蔡亚平 蔡伟 郑家贵 雷智 黎兵
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 制备温度 CdTe薄膜 深能级瞬态谱(DLTS) CdS/CcdTe太阳电池
• 年，卷（期）: 2010,（1）
• 所属期刊栏目: 物理学交叉学科及有关科学技术领域
• 页码范围: 625-629
• 页数: 5页
• 分类号: O4
• 语种: 中文

摘要

在不同温度下用近空间升华法(CSS)制备了CdTe多晶薄膜,结合I-V,C-V特性及深能级瞬态谱研究了不同温度制备的CdTe薄膜对CdS/CdTe太阳电池性能的影响.结果表明,制备温度对电池组件的开路电压影响不大,对短路电流和填充因子有影响,CdTe薄膜的深中心对温度和频率的响应基本一致.580℃制备的样品暗饱和电流密度最小,载流子浓度较高,光电特性较好,而且空穴陷阱浓度较低,深中心复合作用较小.在此研究基础上制备出了面积为300 mm×400 mm,组件转换效率为8.2%的大面积CdTe太阳电池.