PECVD淀积SiO2薄膜工艺研究

• 作者: 亢喆 蒋亚东 袁凯 黎威志
• 来源期刊: 微处理机
• 学科: 工学
• 关键词: 等离子增强化学气相淀积 氧化硅 淀积速率 折射率
• 年，卷（期）: 2010,（1）
• 所属期刊栏目: 大规模集成电路设计、制造与应用
• 页码范围: 23-26
• 页数: 4页
• 分类号: TN304
• 字数: 3322字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1002-2279.2010.01.007

摘要

研究了等离子增强化学气相淀积(PECVD)制备非晶SiO2薄膜的工艺.系统地研究了反应气体流量比、射频功率、淀积腔内压强、淀积时间等工艺条件对SiO2薄膜质量的影响,采用椭偏仪测量了不同工艺条件下淀积的SiO2薄膜的厚度和折射率.根据以上测试结果分析了各工艺参数对SiO2薄膜淀积速率、折射率以及均匀性的影响规律,并定性讨论了其机理.找到了比较合适的制备高均匀性和典型折射率SiO2薄膜的工艺参数.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	蒋亚东	电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室	318	2024	18.0	25.0
2	黎威志	电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室	36	218	9.0	12.0
3	袁凯	电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室	22	200	9.0	13.0
4	亢喆	电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室	3	28	3.0	3.0