水热电耦合法制备BaZrO3薄膜

• 作者: 刘好 蔡业彬 黄扬风
• 来源期刊: 佛山陶瓷
• 关键词: 锆酸钡 薄膜 电耦合
• 年，卷（期）: 2010,（5）
• 所属期刊栏目: 研究与探讨
• 页码范围: 24-26
• 分类号: TQ17
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1006-8236.2010.05.008

摘要

本研究采用水热电耦合方法合成了BaZrO2薄膜.首先通过阴极放电等离子体(HCD-IP)在Si基片上沉积氮化锫(ZrN)薄膜,接着将包覆ZrN的Si基片侵入到水热电耦合装置中,其混合溶液为Ba(CH32OO)2和NaOH,在90℃的温度下工作1～15h.结果表明,在ZrN/Si基片上成功合成了立方BaZrO2薄膜.BaZrO2薄膜在ZrN上的生长速率比在块体Zr上的生长速率快,BaZrO3薄膜展示出纳米层结构,其厚度在15h后可达到2 μm.本文讨论了溶液的反应温度和反应时间对薄膜形貌和厚度的影响.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	蔡业彬	茂名学院机电工程学院	24	381	7.0	19.0
2	刘好	茂名学院机电工程学院	15	35	3.0	5.0
3	黄扬风	茂名学院机电工程学院	3	5	1.0	2.0