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摘要:
本文对绝缘栅双极晶体管(IGBT)在无汞平面光源驱动电源中的应用可行性进行了分析.同时对IGBT和金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的性能进行了比较,对IGBT在无汞平面光源中应用的可行性进行了分析.结果表明IGBT在大电流应用场合更具优越性,同时IGBT的温度特性优于MOSFET,采用IGBT可以简化电路结构.基于上述分析,设计了一组采用IGBT的12寸无汞平面光源的驱动电源,实验结果表明采用IGBT可以简化电路结构,降低电路成本.
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文献信息
篇名 IGBT在无汞平面光源驱动电源中的应用
来源期刊 真空电子技术 学科 工学
关键词 绝缘栅双极晶体管 平面光源 驱动电源 发光效率
年,卷(期) 2010,(3) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 53-56
页数 分类号 TN710.2|TM923.32
字数 2874字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1002-8935.2010.03.014
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 刘震 西安交通大学电子物理与器件教育部重点实验室 20 25 2.0 4.0
2 孙永魁 西安交通大学电子物理与器件教育部重点实验室 5 11 2.0 3.0
3 耿海 西安交通大学电子物理与器件教育部重点实验室 3 10 2.0 3.0
4 陈帅宇 西安交通大学电子物理与器件教育部重点实验室 1 0 0.0 0.0
5 熊博 西安交通大学电子物理与器件教育部重点实验室 3 10 2.0 3.0
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研究主题发展历程
节点文献
绝缘栅双极晶体管
平面光源
驱动电源
发光效率
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
真空电子技术
双月刊
1002-8935
11-2485/TN
大16开
北京749信箱7分箱
1959
chi
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7
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