InP晶片表面优化处理及键合性质分析

• 作者: 何国荣 渠红伟 郑婉华 陈良惠
• 来源期刊: 光学与光电技术
• 学科: 工学
• 关键词: 键合 X射线光电子能谱 微观粗糙度 薄膜转移 X射线双晶衍射
• 年，卷（期）: 2010,（3）
• 所属期刊栏目: 材料与器件
• 页码范围: 69-74
• 分类号: TN36
• 字数: 3849字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-3392.2010.03.018

摘要

采用原子力显微镜(AFM)和X射线光电子能谱(XPS)对不同处理流程后的InP(100)表面粗糙度及化学成分进行测试分析,优选出C、O元素浓度较低,且表面均方根粗糙度影响较小的表面清洗方法.通过比较键合结构的薄膜转移照片可知,表面清洗后的干燥与除气步骤可较好地去除键合界面中的空洞和气泡,从而提高键合质量.键合结构的电子显微镜(SEM)照片,X射线双晶衍射曲线(XRD)及I-V测试分析表明键合结构具有良好的机械、晶体及电学性质.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	何国荣	深圳信息职业技术学院电子通信技术系	16	41	4.0	5.0
2	渠红伟	中科院半导体所纳米光电子实验室	1	0	0.0	0.0
3	郑婉华	中科院半导体所纳米光电子实验室	3	3	1.0	1.0
4	陈良惠	中科院半导体所纳米光电子实验室	7	29	3.0	5.0