钽掺杂对氧化锌透明导电薄膜结构和电学特性的影响

• 作者: 孙兆奇 宋学萍 曹铃 陈进军
• 来源期刊: 安徽大学学报（自然科学版）
• 学科: 物理学
• 关键词: Ta-ZnO 薄膜 射频磁控溅射 微结构 电阻率
• 年，卷（期）: 2010,（4）
• 页码范围: 59-63
• 分类号: O484.1
• 字数: 3047字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-2162.2010.04.011

摘要

采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上室温沉积不同钽掺杂浓度的氧化锌透明导电薄膜.并对其结构和电学特性进行分析.对衍射峰的分析说明Ta元素以替位Zn元素的形式溶入ZnO晶格中形成了固溶体.当钽掺杂比例从0 wt%增加到10 wt%,晶格常数从0.524 2 nm增加到0.531 4 nm,表明薄膜中存在平行于c轴方向的张应力.薄膜沿c轴的晶粒尺寸在9.4～13.5 nm之间.薄膜的电阻随着掺杂比例增加首先显著下降,当掺杂比例为5 wt%时,薄膜最小电阻率为7.81×10-2 Ω·cm,进一步增加掺杂比例到10 wt%,电阻率增大为1.25×10-1 Ω·cm.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	宋学萍	安徽大学物理与材料科学学院	63	367	10.0	14.0
5	陈进军	贵州大学电气工程学院	30	87	5.0	7.0
6	孙兆奇	安徽大学物理与材料科学学院	91	563	11.0	16.0
10	曹铃	安徽大学物理与材料科学学院	3	11	2.0	3.0