高功率高光束质量980nm垂直腔底面发射激光器

• 作者: 刘云 刘光裕 史晶晶 孙艳芳 宁永强 张岩 张星 张立森 王伟 王烨 王立军 王贞福 秦莉
• 来源期刊: 红外与毫米波学报
• 学科: 工学
• 关键词: 垂直腔面发射激光器 高功率 电流分布 远场分布
• 年，卷（期）: 2010,（5）
• 页码范围: 329-332,361
• 分类号: TN248.4
• 字数: 2589字
• 语种: 中文

摘要

报道了优化p面电极的高功率高光束质量980nm垂直腔底面发射激光器(VCSEL).采用数学模型对VCSEL的电流密度进行了模拟计算,发现电流密度分布由氧化孔直径和p面电极直径决定.确定氧化孔直径后,优化p面电极直径可以实现电流密度的均匀分布,抑制远场光斑中高阶边模的产生.将p面电极直径优化为580μm,制作的600μm的VCSEL远场发散角从30°减小到15°,优化器件的阈值电流和最高输出功率都略有增加.通过改进器件封装方式后,器件输出功率达到2.01W,激射波长为982.6nm.