氨气氮化Ga2O3粉体合成GaN的生长机制研究

• 作者: 崔珊 朱建峰 王志伟 王芬 薛小霜
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 工学
• 关键词: GaN 热分解 重结晶
• 年，卷（期）: 2010,（3）
• 页码范围: 638-643
• 分类号: TB34
• 字数: 3372字
• 语种: 中文

摘要

以Ga2O3为主要原料,通过氨气氮化反应合成了单相GaN粉体.利用X射线衍射(XRD)、扫瞄电镜(SEM)和荧光光谱(PL)分析在900～1050 ℃范围内,氮化温度和时间对产物的影响.结果表明:氮化温度在920 ℃以上时能够生成纯度较高的六方铅锌矿型GaN粉体,反应温度达到1000 ℃时,合成的粉体具有良好的结晶性能;当反应温度为1000 ℃,氮化时间为1.5 h时,所得样品发光性能优异.反应产物初始的平板和柱状结构显示了系统反应开始为气-固机制(V-S),但随时间的延长转变为以分解-重结晶为主导的合成机制,该机制使得粉体颗粒细化,并随着反应温度的提高以及氮化时间的延长,细化效果更加明显.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王芬	陕西科技大学材料科学与工程学院	186	1121	17.0	22.0
2	朱建峰	陕西科技大学材料科学与工程学院	5	8	2.0	2.0
3	崔珊	陕西科技大学材料科学与工程学院	7	13	3.0	3.0
4	薛小霜	陕西科技大学材料科学与工程学院	4	4	1.0	2.0
5	王志伟	陕西科技大学材料科学与工程学院	1	1	1.0	1.0