Ku波段20W AlGaN/GaN功率管内匹配技术研究

• 作者: 任春江 孙春妹 焦刚 钟世昌 陈堂胜 陈辰 高涛
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: GaN 功率管 内匹配
• 年，卷（期）: 2010,（6）
• 所属期刊栏目: 电路设计
• 页码范围: 23-25,38
• 分类号: TN702
• 字数: 1886字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1681-1070.2010.06.007

摘要

文章的主要目的是研究第三代半导体AlGaN/GaN功率管内匹配问题.以设计Ku波段20WGaN器件为例,研究了内匹配电路的设计、合成以及内匹配电路的测试,实现了GaN功率HEMT在Ku波段20W连续波输出功率的内匹配电路,并使整个电路的输入、输出电路阻抗提升至50 Ω.最终所研制的AlGaN/GaNKu波段内匹配功率管在11.8GHz～12.2GHz频带内,输出功率大于20W.在12GHz功率增益大于5dB,功率附加效率29.07%,是目前国内关于GaN功率器件在Ku波段连续波输出的最高报道.