Ⅱ-Ⅵ族稀磁半导体多层结构中的自旋极化隧穿

• 作者: 宫箭 李硕 李贺年 杨明
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 稀磁半导体 自旋极化 共振隧穿
• 年，卷（期）: 2010,（4）
• 页码范围: 515-520
• 分类号: O471.3
• 字数: 3279字
• 语种: 中文

摘要

采用转移矩阵法和Airy函数,研究了ZnSe/ZnMnSe/ZnSe/ZnBeSe/ZnSe/ZnBeSe/ZnSe异质结构的自旋极化输运.在外加偏压和磁场对电子透射系数和自旋极化率的影响方面,所得到的结论显现出复杂而有趣的特性.磁场对自旋向上和向下电子隧穿的影响是不同的:对于自旋向上情况,出现双共振向单共振转换现象.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	宫箭	内蒙古大学物理科学与技术学院	8	20	2.0	4.0
2	杨明	内蒙古大学物理科学与技术学院	5	224	3.0	5.0
3	李贺年	内蒙古大学物理科学与技术学院	1	2	1.0	1.0
4	李硕	内蒙古大学物理科学与技术学院	2	9	2.0	2.0