基于P型晶体硅异质结太阳电池的结构设计与性能分析

• 作者: 周骏 孙永堂 孙铁囤 邸明东
• 来源期刊: 太阳能学报
• 学科: 工学
• 关键词: a-Si(n)/c-Si(p)异质结太阳电池 微晶硅 背面场 AFORS_HET
• 年，卷（期）: 2010,（10）
• 页码范围: 1343-1348
• 分类号: TM615
• 字数: 3492字
• 语种: 中文

摘要

针对两种a-Si(n)/c-Si(p)异质结太阳电池结构,应用AFORS_HET软件,分析氧化非晶硅(a-Si:H)和氢化微晶硅(μc-Si:H)两种材料作为背面场时的特性参数对a-Si(n)/c-Si(p)异质结太阳电池性能的影响.结果表明:P型氢化微晶硅(μc-Si:H(p))为背面场时电池性能得到提高,μc-Si:H(p)的背面场特性是关键因素.最后,优化设计出以a-Si:H为窗口层、μc-Si:H为背面场的a-Si(n)/c-Si(p)异质结太阳电池TCO/a-Si:H(n)/a-Si:H(i)/c-Si(p)/a-Si:H(i)/μc-Si:H(p)/TCO,并获得20%的转换效率.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	周骏	江苏大学机械工程学院光信息科学与技术系	48	161	7.0	9.0
3	孙铁囤		5	27	4.0	5.0
6	孙永堂	江苏大学机械工程学院光信息科学与技术系	5	24	3.0	4.0
7	邸明东	江苏大学机械工程学院光信息科学与技术系	4	29	3.0	4.0