应变Si_(1-x)Ge_x/(111)Si空穴有效质量模型

• 作者: 宋建军 宣荣喜 张鹤鸣 戴显英 胡辉勇
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 应变Si_(1-x)Ge_x 空穴有效质量 价带
• 年，卷（期）: 2010,（1）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学物质
• 页码范围: 579-582
• 页数: 4页
• 分类号: O4
• 语种: 中文

摘要

利用应变Si_(1-x)Ge_x/(111)Si材料价带E(k)-k关系,研究获得了沿不同晶向的空穴有效质量,并在此基础上,建立了空穴各向同性有效质量模型.结果表明,与弛豫材料相比,应变Si_(1-x)Ge_x/(111)Si材料价带带边空穴有效质量各向异性更加显著,带边空穴各向同性有效质量随Ge组分明显减小.该研究成果可为Si基应变PMOS器件导电沟道的应力与晶向设计提供有价值的参考.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	戴显英	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件重点实验室	55	329	10.0	15.0
2	胡辉勇	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件重点实验室	64	367	10.0	15.0
3	张鹤鸣	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件重点实验室	102	510	12.0	16.0
4	宋建军	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件重点实验室	36	204	9.0	12.0
5	宣荣喜	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件重点实验室	22	172	8.0	12.0