具有部分超结的新型SiC SBD特性分析

• 作者: 任丽丽 余涔 杨银堂 段宝兴 耿振海 贾护军
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: SiC肖特基二极管 superjunction 导通电阻 击穿电压
• 年，卷（期）: 2010,（1）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学物质
• 页码范围: 566-570
• 页数: 5页
• 分类号: O4
• 语种: 中文

摘要

提出了一种具有部分超结(super junction,SJ)结构的新型SiC肖特基二极管,命名为SiC Semi-SJ-SBD结构,通过将常规SBD耐压区分为常规耐压区和超结耐压区来减小导通电阻,改善正向特性.利用二维器件模拟软件MEDICI仿真分析,研究了不同超结深度和厚度时击穿电压(V_B)和比导通电阻(R_(on-sp)).与常规结构的SBD比较得出,半超结结构可以明显改善SiC肖特基二极管特性,并得到优化的设计方案,选择超结宽度2W为2μm,3μm,超结深度大于5μn,可以使R_(on-sp)降低量大于10%,而且保持V_B基本不变(降低量小于4%).

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨银堂	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件重点实验室	420	2932	23.0	32.0
2	贾护军	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件重点实验室	25	131	7.0	10.0
3	段宝兴	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件重点实验室	14	52	4.0	5.0
4	耿振海	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件重点实验室	1	7	1.0	1.0
5	余涔	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件重点实验室	1	7	1.0	1.0