生长在p-GaAs衬底上的ZnO基异质结二极管电致发光

• 作者: 刘卫卫 单崇新 姚斌 张吉英 张振中 李永峰 李炳辉 申德振 邓蕊
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 氧化锌 分子束外延 电致发光 发光二极管
• 年，卷（期）: 2010,（6）
• 页码范围: 854-858
• 分类号: O482.31
• 字数: 1306字
• 语种: 中文

摘要

利用等离子体辅助分子束外延在P型砷化镓衬底上制备了ZnO异质结发光二极管.实验表明:GaAs与ZnO之间的氧化镜绝缘层能够有效改善器件光电性能 I-V特性的研究表明该器件具有良好的整流特性,开启电压为3 V,电致发光光谱由一个紫外发光峰和一个可见发光带构成,其来源分别为ZnO层中近带边缺陷以及深能级缺陷相关的辐射复合.