大功率光导开关研究

• 作者: 刘宏伟 刘金锋 李洪涛 江伟华 王新新 袁建强 谢卫平
• 来源期刊: 强激光与粒子束
• 学科: 工学
• 关键词: 大功率 光导开关 砷化镓 碳化硅 光电导特性
• 年，卷（期）: 2010,（4）
• 所属期刊栏目: 脉冲功率技术
• 页码范围: 791-794
• 分类号: TM836
• 字数: 1383字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/HPLPB20102204.0791

摘要

设计了横向结构的半绝缘GaAs光导开关和SiC光导开关.在不同的直流偏置电压下,使用波长为1 064 nm的激光脉冲触发使开关导通,研究了非本征光电导方式下GaAs光导开关和SiC光导开关的光电导特性.实验中获得了GaAs光导开关的暗态伏安曲线和200～1 100 nm波长范围内吸收深度随波长的变化曲线,得到了大功率GaAs光导开关在线性模式和非线性模式下的电流波形,并进行了比较,讨论了非线性模式下大功率GaAs光导开关的奇特光电导现象.对非本征光电导方式下的SiC光导开关进行了初步实验研究,得到了偏置电压3.6 kV下开关的电压和电流波形.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	袁建强	中国工程物理研究院流体物理研究所	20	162	7.0	12.0
2	李洪涛	中国工程物理研究院流体物理研究所	64	265	8.0	14.0
3	刘宏伟	中国工程物理研究院流体物理研究所	24	157	7.0	12.0
4	刘金锋	中国工程物理研究院流体物理研究所	14	110	7.0	10.0
5	谢卫平	中国工程物理研究院流体物理研究所	68	501	14.0	19.0
6	王新新	清华大学电机系	85	1495	19.0	36.0
7	江伟华	清华大学电机系	22	310	11.0	17.0