La、Nb掺杂对Bi4Ti3O12薄膜介电性能和C-V特性的影响

• 作者: 冯湘 王华
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: Bi4Ti3O12薄膜 介电性能 漏电流 C-V特性
• 年，卷（期）: 2010,（4）
• 页码范围: 1014-1018
• 分类号: O484
• 字数: 3639字
• 语种: 中文

摘要

采用溶胶-凝胶工艺制备了Bi4-xLaxTi3O12和Bi4Ti3-yNbyO12铁电薄膜,研究了La、Nb掺杂对薄膜介电性能和C-V特性的影响.研究表明,在x<0.75、y<0.06范围内,随La、Nb掺杂量的增加, Bi4-xLaxTi3O12和Bi4Ti3-yNbyO12薄膜的介电常数和C-V特性曲线回滞窗口增大,介电损耗和漏电流密度减小.x>0.5时,Bi4-xLaxTi3O12薄膜可获得大于1.8 V的C-V回滞窗口,且经1010极化开关后其回滞窗口的减小未超过6%;而Nb掺杂对增大Bi4Ti3-yNbyO12薄膜C-V回滞窗口的作用更加明显,但经1010极化开关后,其回滞窗口的减小较为明显,并出现一定平移.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王华	桂林电子科技大学材料科学与工程学院	98	463	13.0	17.0
2	冯湘	郑州铁路职业技术学院机电系	26	76	5.0	8.0