ZnO-Bi_2O_3系压敏陶瓷的晶界电子结构

• 作者: 成鹏飞 李建英 李盛涛
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: ZnO压敏陶瓷 晶界电子结构 介电谱
• 年，卷（期）: 2010,（1）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学物质
• 页码范围: 560-565
• 页数: 6页
• 分类号: O4
• 语种: 中文

摘要

测量了ZnO-Bi_2O_3系压敏陶瓷在不同温度下的介电频谱,基于压敏陶瓷介电特征损耗峰起源于耗尽层内本征缺陷电子松弛过程的理论,计算了ZnO的本征缺陷结构,并进一步求出了晶界的微观电参数和宏观单晶界击穿电压.单晶界击穿电压的理论值与实验测量值符合得很好,这表明本文建立的基于介电谱计算本征缺陷的方法是有效的.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李盛涛	西安交通大学电力设备电气绝缘国家重点实验室	98	927	20.0	26.0
2	成鹏飞	西安工程大学理学院	31	172	8.0	12.0
3	李建英	西安交通大学电力设备电气绝缘国家重点实验室	80	757	17.0	24.0