FIB参数对低介电常数介质TEM样品制备的影响

• 作者: 杨卫明 段淑卿 王玉科 简维廷 芮志贤 郭强
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 低介电常数介质 聚焦离子束 透射电子显微镜 样品制备
• 年，卷（期）: 2010,（3）
• 所属期刊栏目: 技术专栏(先进工艺技术)
• 页码范围: 241-244
• 页数: 4页
• 分类号: TN604
• 字数: 2299字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2010.03.011

摘要

研究了使用聚焦离子束(FIB)方法制备低k介质的TEM样品时离子束参数对介质微观形貌的影响,发现低k介质的微观形貌与离子束参数具有较强的相关性.传统大离子束流、高加速电压的FIB参数将导致低.k介质多孔性增加、致密度下降;且k值越低,离子束参数影响越大.对于亚65 nm工艺中使用的k值为2.7的介质,当离子束流减小到50 pA、加速电压降低到5 kV时,FIB制样方法对介质致密度的影响基本可忽略,样品微观形貌得到了显著改善;而对于65 nm工艺中使用的k值为3.0的介质,其微观形貌受离子束参数的影响则相对较小.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	简维廷		19	34	3.0	5.0
2	杨卫明		1	5	1.0	1.0
3	段淑卿		6	12	2.0	3.0
4	芮志贤		2	5	1.0	2.0
5	王玉科		5	9	2.0	3.0
6	郭强		5	9	2.0	3.0