Mg掺杂量和退火温度对MgxZn1-xO:Al紫外透明导电薄膜结构与性能的影响

• 作者: 杨玲 王华 许积文 黄竹
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: MgxZn1-xO:Al 紫外透明导电薄膜 Mg掺杂 光电性能
• 年，卷（期）: 2010,（5）
• 页码范围: 1206-1210
• 分类号: O484
• 字数: 3349字
• 语种: 中文

摘要

以自制MgxZn1-xO:Al陶瓷为靶材,采用磁控溅射工艺在石英玻璃衬底上制备了MgxZn1-xO:Al紫外透明导电薄膜,研究了Mg掺杂量和退火温度对MgxZn1-xO:Al薄膜结构和光电性能的影响.X射线衍射表明,在x≤0.4的范围内,MgxZn1-xO:Al薄膜为六角纤锌矿结构,当x≥0.6时,MgxZn1-xO:Al薄膜为立方结构.当x≤0.4时,随着x值的增加,薄膜的电阻率有所增加,但其光学吸收边产生明显的蓝移,禁带宽度显著增大,透射光谱扩展到紫外区域.退火对薄膜电阻率影响显著,随着退火温度的增加,样品的电阻率先大幅度降低,后有略微的回升,600 ℃时电阻率最低,且吸收边较未退火时有一定的蓝移.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王华	桂林电子科技大学材料科学与工程学院	98	463	13.0	17.0
2	许积文	桂林电子科技大学材料科学与工程学院	68	171	6.0	10.0
3	杨玲	桂林电子科技大学材料科学与工程学院	35	103	6.0	8.0
4	黄竹	桂林电子科技大学材料科学与工程学院	4	5	2.0	2.0