ZnS/PS异质结的光学和电学性质

• 作者: 李清山 梁德春 王彩凤 胡波
• 来源期刊: 光学与光电技术
• 学科: 工学
• 关键词: 白光 光致发光 I-V特性曲线 ZnS薄膜 多孔硅
• 年，卷（期）: 2010,（2）
• 所属期刊栏目: 材料与器件
• 页码范围: 77-79
• 页数: 3页
• 分类号: TN383+.2
• 字数: 2111字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-3392.2010.02.020

摘要

用脉冲激光沉积(PLD)的方法在多孔硅衬底上沉积了ZnS薄膜,并在室温下研究了ZnS/PS异质结的结构、光学和电学性质.X射线衍射仪(XRD)测量结果表明,制备的ZnS薄膜在28.5°附近有一较强的衍射峰,对应于β-ZnS(111)晶向,说明薄膜沿该方向高度择优取向生长.ZnS/PS复合体系的光致发光谱表明,ZnS的发光与PS的发光叠加在一起,在可见光区形成一个450～700 nm较宽的光致发光谱带,呈现较强的白光发射.对ZnS/PS异质结I-V特性曲线的测量结果表明,异质结呈现出与普通二极管相似的整流特性.在正向偏置下,电流密度较大,电压降较低;在反向偏置下,电流密度接近于零.异质结的理想因子的值为77.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王彩凤	滨州学院物理与电子科学系	21	147	5.0	12.0
2	李清山	鲁东大学物理系	40	97	5.0	7.0
3	胡波	滨州学院飞行学院	34	332	8.0	18.0
4	梁德春	中国科学院半导体研究所	3	5	1.0	2.0