三氯氢硅和氢气系统中多晶硅化学气相沉积的数值模拟

• 作者: 吴玉雷 张攀 李建隆 王伟文 董海红 陈光辉
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 物质传递 化学气相沉积 数值模拟 多晶硅
• 年，卷（期）: 2010,（2）
• 页码范围: 494-499
• 分类号: TQ021
• 字数: 4104字
• 语种: 中文

摘要

本文建立了三氯氢硅和氢气系统中混合气体动量、热量和质量同时传递,并且耦合气相反应、表面反应的多晶硅气相沉积模型,利用流体力学计算软件(Computational Fluid Mechanics, CFD)Fluent6.2数值分析了气体进口速率、反应压力、表面温度和气体组成对硅化学气相沉积特性的影响,数值结果表明计算结果与相关实验数据吻合较好.分析表明在一定的条件下,硅沉积速率随温度、压力的升高而增加,在氢气浓度较高的情况下,硅沉积速率随氢气浓度增加而线性地降低.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王伟文	青岛科技大学化工学院	87	484	12.0	18.0
2	李建隆	青岛科技大学化工学院	115	654	14.0	19.0
3	陈光辉	青岛科技大学化工学院	56	357	11.0	16.0
4	吴玉雷	青岛科技大学化工学院	6	50	3.0	6.0
5	张攀	青岛科技大学机电工程学院	17	130	7.0	11.0
6	董海红	青岛科技大学化工学院	2	37	2.0	2.0